شرکت Samsung Electronics، رهبر جهان در فناوری حافظه پیشرفته، امروز اعلام کرد که تولید انبوه درایو حالت جامد 250 گیگابایتی (GB) SATA (SSD) را آغاز کرده است که نسل ششم (1xx-layer( 256 این شرکت را یکپارچه می کند. گیگابیتی (گیگابیت) V-NAND سه بیتی برای OEM های جهانی PC. سامسونگ با عرضه نسل جدید V-NAND تنها در 13 ماه، چرخه تولید انبوه را چهار ماه کاهش داده و در عین حال بالاترین عملکرد صنعت، بهره وری انرژی و بهره وری تولید را تضمین می کند.
با آوردن فناوری پیشرفته حافظه سه بعدی به تولید حجم، می‌توانیم مجموعه‌ای از حافظه‌های به موقع را معرفی کنیم که به طور قابل توجهی سطح سرعت و کارایی انرژی را افزایش می‌دهند. با چرخه‌های توسعه سریع‌تر برای محصولات نسل بعدی V-NAND، ما قصد داریم به سرعت بازارهای راه‌حل‌های مبتنی بر V-NAND 512 گیگابایتی با ظرفیت بالا و سرعت بالا را گسترش دهیم.
تنها قالب حافظه سه بعدی تک پشته با طراحی بیش از 100 لایه
نسل ششم V-NAND سامسونگ دارای سریعترین سرعت انتقال داده در صنعت است و از مزیت تولید متمایز این شرکت بهره می برد که حافظه سه بعدی را به اوج می رساند.
V-NAND جدید با استفاده از فناوری منحصربه‌فرد «حکاکی سوراخ کانال» سامسونگ، حدود 40 درصد سلول‌های بیشتری را به ساختار 9x لایه قبلی تک پشته اضافه می‌کند. این امر با ساختن یک پشته قالب رسانای الکتریکی متشکل از 136 لایه، سپس سوراخ کردن عمودی سوراخ‌های استوانه‌ای از بالا به پایین، ایجاد سلول‌های فلاش تله بار سه بعدی (CTF) به دست می‌آید.
با افزایش ارتفاع پشته قالب در هر ناحیه سلول، تراشه‌های فلش NAND نسبت به خطاها و تأخیر خواندن آسیب‌پذیرتر می‌شوند. برای غلبه بر چنین محدودیت‌هایی، سامسونگ یک طراحی مدار بهینه‌شده با سرعت را ادغام کرده است که به آن اجازه می‌دهد به سریعترین سرعت انتقال داده دست یابد، در کمتر از 450 میکروثانیه (μs) برای عملیات نوشتن و زیر 45 میکرو ثانیه برای خواندن. در مقایسه با نسل قبلی، این نشان دهنده بهبود بیش از 10 درصدی در عملکرد است، در حالی که مصرف برق بیش از 15 درصد کاهش یافته است.
به لطف این طراحی بهینه شده برای سرعت، سامسونگ قادر خواهد بود راه حل های نسل بعدی V-NAND را با بیش از 300 لایه به سادگی با نصب سه پشته فعلی، بدون به خطر انداختن عملکرد یا قابلیت اطمینان تراشه، ارائه دهد.
علاوه بر این، تعداد سوراخ‌های کانال مورد نیاز برای ایجاد تراکم تراشه 256 گیگابایتی از بیش از 930 میلیون حفره در نسل قبلی به 670 میلیون حفره کاهش یافته است که باعث کاهش اندازه تراشه‌ها و مراحل کمتر فرآیند می‌شود. این باعث بهبود بیش از 20 درصدی در بهره وری تولید می شود.
به لطف این طراحی بهینه شده برای سرعت، سامسونگ قادر خواهد بود راه حل های نسل بعدی V-NAND را با بیش از 300 لایه به سادگی با نصب سه پشته فعلی، بدون به خطر انداختن عملکرد یا قابلیت اطمینان تراشه، ارائه دهد.
علاوه بر این، تعداد سوراخ‌های کانال مورد نیاز برای ایجاد تراکم تراشه 256 گیگابایتی از بیش از 930 میلیون حفره در نسل قبلی به 670 میلیون حفره کاهش یافته است که باعث کاهش اندازه تراشه‌ها و مراحل کمتر فرآیند می‌شود. این باعث بهبود بیش از 20 درصدی در بهره وری تولید می شود.
سامسونگ قصد دارد با استفاده از ویژگی‌های پرسرعت و کم مصرف، نه تنها دامنه V-NAND سه بعدی خود را در حوزه‌هایی مانند دستگاه‌های موبایل نسل بعدی و سرورهای سازمانی گسترش دهد، بلکه در بازار خودرو نیز که قابلیت اطمینان بالا بسیار حیاتی است، استفاده کند.
پس از معرفی امروز SSD 250 گیگابایتی، سامسونگ قصد دارد در نیمه دوم سال جاری 512 گیگابایت سه بیتی V-NAND SSD و eUFS را عرضه کند. این شرکت همچنین انتظار دارد از سال آینده تولید راه‌حل‌های نسل ششم V-NAND با سرعت بالاتر و ظرفیت بیشتر را در محوطه دانشگاه پیونگ‌تک (کره) گسترش دهد تا تقاضای مشتریان جهانی را بهتر برآورده کند.
